梁准教授、重川教授の研究グループは
半導体材料3C-SiCが理論値に相当する高い熱伝導率を示すことを
熱伝導率の評価と原子レベルの解析から初めて実証しました．
3C-SiCはダイヤモンドより低コストであり、且つ大口径ウェハーの作製が可能のため
他の半導体材料と組み合わせることにより高放熱性デバイスが実現されます．
また、3C-SiCはSi上に結晶成長可能であること、3C-SiC/Si界面の熱伝導率が高いことから
集積回路の性能向上やフォトニクスへの応用が期待できます．
本研究成果は日本時間2022年11月24日㈭ 国際学術誌「Nature Communications」にオンライン掲載されました．

【論文タイトル】
High Thermal Conductivity in Wafer-Scale Cubic Silicon Carbide Crystals

【著者】
Zhe Cheng, Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Hidetoshi Asamura, Hiroki Uratani, Samuel Graham, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, David G. Cahill

パワーエレクトロニクス研究室HP： http://www.shigekawa-ocu.jp