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お知らせ(News)

2022.05.20 研究・受賞

電子物理系パワーエレクトロニクス研究室(重川直輝教授)において ダイヤモンド上に放熱性に優れる窒化物半導体トランジスタを作製! その成果が半導体の業界紙「電子デバイス産業新聞」上で紹介されました.

パワーエレクトロニクス研究室M2の香川 諒さんは,企業や東北大学との共同研究によりダイヤモンド上に転写された窒化物半導体をプロセス(加工)し,放熱性に優れるトランジスタを作製しました.本研究成果により,接合後にトランジスタを作製することでダイヤモンド上窒化ガリウムの大面積化が進展し,レーダーやインバータ※3などの大電力用途にも使用範囲が拡大することが期待されます.本研究成果は「電子デバイス産業新聞」だけではなく国際学術誌「Applied Physics Express」誌にもオンライン掲載されました

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パワーエレクトロニクス研究室HP: http://www.shigekawa-ocu.jp

関連論文: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ac5ba7