2021年10月5日～11日までに開催された7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)にて梁剣波准教授の研究グループのβ-Ga2O3とSi半導体の接合界面構造に関する研究発表がBest Presentation Awardを受賞しました．なお，本研究は情報通信研究機構及び東北大学金属研究所との共同研究です．

[発表題目] Fabrication of β-Ga2O3/Si direct bonding interface for high power device applications
[発表者] Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Yasuo Shimizu, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Noateru Shigekawa

パワーエレクトロニクス研究室： http://www.shigekawa-ocu.jp/